本文標(biāo)題："透明導(dǎo)電TCO膜具有良好的導(dǎo)電性及透光性"
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透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的薄膜被重視，因?yàn)樗鼈円驯挥脕碜鳛橥该麟姌O，在各領(lǐng)
域，如太陽能電池、平面顯示器和發(fā)光元件。氧化鋅（ZnO）是一種很有前途替代
氧化銦錫(ITO)的材料，氧化鋅薄膜為N型Ⅱ–Ⅵ族半導(dǎo)體具有寬能隙(室溫下約3.37ev)，
屬六方最密堆積纖鋅礦結(jié)構(gòu)(hexagonal wurtzite structure)，
因具有良好的導(dǎo)電性及透光性，TCO薄膜材料的開發(fā)、性質(zhì)與制程的改良、以及應(yīng)用研究
等，一直都備受重視，特別是在光電領(lǐng)域方面。由于純ZnO薄膜導(dǎo)電性與熱穩(wěn)定性
不佳，一般常摻入Al、Ga、In等雜質(zhì)來提升其導(dǎo)電性與改善其熱穩(wěn)定，IZO(indium-
doped ZnO)薄膜在導(dǎo)電性提升上有很大的幫助。由于In3+離子比Zn2+離子多一價(jià)電
荷，當(dāng)ZnO晶格中的Zn2+離子被一個In3+離子取代時(shí)，可多提供出一個自由載子，所
以IZO薄膜相較于ZnO薄膜，其自由載子濃度較高并且摻雜的In 原子在佔(zhàn)據(jù)晶格結(jié)
構(gòu)中之格隙位置，同時(shí)會引起晶格結(jié)構(gòu)扭曲，反而會造成電子的移動率下降。當(dāng)摻
雜其他金屬離子于ZnO中，隨著摻雜的量增加，同樣會造成自由載子濃度提升，電
子移動率下降的現(xiàn)象發(fā)生，所以摻雜量對于導(dǎo)電性的提升有很大的影響
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